晶体管的操作原理

晶体管 - 上在电子半导体运行的装置。 它是专为电信号的转换和放大。 有两种类型的装置： 一个双极晶体管 和单极晶体管或一个字段。

如果晶体管两种类型的载流子同时工作 - 空穴和电子，它被称为双极性。 如果晶体管是只有一种类型的电荷时，它是单极的。

想象一下，普通自来水的工作。 打开螺栓 - 水流量增加，他把其他的方式 - 减少或停止流动。 实际上，这是晶体管的工作原理。 只有电子的，而不是流过其中的水流。 双极晶体管型的操作的原理的特征在于以下事实：通过这个电子装置是两种电源都。 他们被分为高，或基本的和小的，或经理。 其中，控制电流影响主电源的容量。 考虑 场效应晶体管。 它的工作原理是和别人不同。 它通过仅一个 电流输出 ，其取决于环境 电磁场。

双极型晶体管是由3层的半导体，以及，最重要的是，这两个PN结。 这是必要的PNP和NPN转换，因此，和晶体管之间进行区分。 这些半导体是交替的电子和空穴传导。

双极晶体管具有三个端子。 此基极接触，在离开中心层，两个电极在边缘处 - 发射极和集电极。 与这两个极端电极基础层相比非常薄。 沿半导体的晶体管区的边缘是不对称的。 设置在所述集电极侧到该设备的正确操作的半导体层必须让一些，但是与发射器的侧面相比更厚。

晶体管工作原理是基于物理过程。 让我们与模型PNP工作。 NPN模型将工作除了这样的基本元件如集电极和发射极之间的电压的极性相似的。 这将是在相反的方向。

物质P型包括孔或带正电的离子。 N型物质组成的带负电荷的电子。 在我们的F区域的孔晶体管数量比N.电子的数量大得多

当连接这样的部件作为发射极和晶体管工作原理集电极之间的电压源是基于这样的事实，所述空穴被吸引到磁极，并收集发射器的附近。 但目前并没有去。 来自电压源的电场不会到达集电极，因为厚的半导体发射极层和基极半导体层。
然后一个电压源与元件，即基极和发射的不同组合连接。 现在，孔被发送到数据库，并开始与电子交互。 基部的中心部分是饱和的有孔。 其结果是两个电流。 大 - 从发射到集电极，小 - 从基地发射。

与数据库中的N将更加孔，以增加基极电流的层的增加电压，发射极电流将略微增加。 这意味着，在基极电流的微小变化引起足够的重视放大发射极电流。 其结果是在双极晶体管生长信号。

考虑根据操作模式晶体管的原则。 区分正常活动模式中，逆活动模式，饱和度，切断模式。
在主动模式下，发射结被打开和关闭集电结。 在反转模式，一切都发生相反。